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1．ATOS電磁閥的內(nèi)漏原因分析

    低溫閥門產(chǎn)生內(nèi)漏的主要原因是密封副在低溫狀態(tài)下產(chǎn)生變形所致。當(dāng)介質(zhì)溫度下降到使材料產(chǎn)生相變時(shí)造成體積變化，使原本研磨精度很高的密封面產(chǎn)生翹曲變形而造成低溫密封不良。我們?cè)鴮?duì)DN250閥門進(jìn)行低溫試驗(yàn)，介質(zhì)為液氮（-196℃）蝶板材料為ATOS電磁閥發(fā)現(xiàn)密封面翹曲變形量達(dá)0.12mm左右，這是造成內(nèi)漏的主要原因。

    2．低溫ATOS電磁閥的外漏原因分析
    是由于閥門與管路采用法蘭連接方式時(shí)，由于連接墊料、連接螺栓、以及連接件在低溫下材料之間收縮不同步產(chǎn)生松弛而導(dǎo)至泄漏。因此我們把閥體與管路的連接方式由法蘭連接改為焊接結(jié)構(gòu)，避免了低溫泄漏。第二是由于是閥桿與填料處的泄漏。一般多數(shù)閥門的填料采用F4，因?yàn)樗淖曰阅芎谩⒛Σ料禂?shù)小（對(duì)鋼的摩擦系數(shù)f=0.05～0.1），又具有*的化學(xué)穩(wěn)定性，因此得到廣泛應(yīng)用。

但F4也有不足之處，一是冷流傾向大；二是線膨脹系數(shù)大，在低溫下產(chǎn)生冷縮導(dǎo)致滲漏，造成閥桿處大量結(jié)冰，至使閥門開(kāi)啟失靈。為此研制的低溫蝶閥采用自縮密封結(jié)構(gòu)即利用F4膨脹系數(shù)大的特點(diǎn)，通過(guò)予留的間隙達(dá)到常溫、低溫都可以密封的目的。